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RM8205F

¥0.49
FET、MOSFET 阵列
Rectron USA

MOSFET 2 N-CH 20V 6A SOT23-6

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 1A, 4.5V, 20mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1035pF @ 20V
Power - Max1.14W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6
Supplier Device PackageSOT-23-6

新闻资讯

Rectron USA FET、MOSFET 阵列 产品 RM8205F

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