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FDY2001PZ

¥0.50
FET、MOSFET 阵列

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 10V
Power - Max446mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563F

新闻资讯

Fairchild Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 FDY2001PZ

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