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US6J12TCR

¥4.39
FET、MOSFET 阵列

1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 6V
Power - Max910mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新闻资讯

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