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SI1926DL-T1-BE3

¥2.95
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C340mA (Ta), 370mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds18.5pF @ 30V
Power - Max300mW (Ta), 510mW (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackageSC-70-6

新闻资讯

Vishay/ Siliconix FET、MOSFET 阵列 产品 SI1926DL-T1-BE3

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