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NTZD5110NT1G

¥2.81
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24.5pF @ 20V
Power - Max250mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563

新闻资讯

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