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HP4936DY

¥3.31
FET、MOSFET 阵列

N-CHANNEL POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 25V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

新闻资讯

Fairchild Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 HP4936DY

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