
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Power - Max | 780W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA。
BSM120D12P2C005 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(14000pF @ 10V)、Power - Max(780W)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ))、Package / Case(Module)、Supplier Device Package(Module) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体:罗姆公司成立于1958年,总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件,这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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BSM120D12P2C005 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 BSM120D12P2C005
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