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ZXMN2A04DN8TA

¥13.82
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1880pF @ 10V
Power - Max1.8W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO

新闻资讯

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