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GT090N06D52

¥8.64
FET、MOSFET 阵列

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1620pF @ 30V
Power - Max62W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)

新闻资讯

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