| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A, 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 4.38mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5180pF @ 10V |
| Power - Max | 1.7W, 2.5W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | HSO8-F3-B |
关于 SC8673010L
SC8673010L 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 16A/40A 8-HSO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 40A。
SC8673010L 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（10mOhm @ 8A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 4.38mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.3nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（5180pF @ 10V）、Power - Max（1.7W, 2.5W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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