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QH8KA3TCR

¥7.42
FET、MOSFET 阵列

NCH+NCH 30V 9.0A SMALL SIGNAL MO

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 15V
Power - Max1.5W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 QH8KA3TCR

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