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UT6KB5TCR

¥6.62
FET、MOSFET 阵列

40V 5A, DUAL NCH+NCH, DFN2020-8D

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 20V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-PowerUDFN
Supplier Device PackageHUML2020L8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 UT6KB5TCR

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