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NTLJD3119CTBG

¥6.19
FET、MOSFET 阵列
onsemi

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
Power - Max710mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package6-WDFN (2x2)

新闻资讯

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