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QH8K22TCR

¥5.11
FET、MOSFET 阵列

QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO

参数名称参数值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 20V
Power - Max1.1W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 QH8K22TCR

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