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QH8KA1TCR

¥4.54
FET、MOSFET 阵列

30V NCH+NCH POWER MOSFET

参数名称参数值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds125pf @ 15V
Power - Max2.4W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新闻资讯

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 阵列 产品 QH8KA1TCR

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