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US6J2TR

¥4.82
FET、MOSFET 阵列

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

参数名称参数值
Product StatusNot For New Designs
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 10V
Power - Max1W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-SMD, Flat Leads
Supplier Device PackageTUMT6

新闻资讯

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