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FCPF380N65FL1

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1680 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)33W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F-3
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

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