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RP1A090ZPTR

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单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 12V 9A MPT6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7400 pF @ 6 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageMPT6
Package/ Case6-SMD, Flat Leads

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RP1A090ZPTR

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