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NDT451AN

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单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-223-4
Package/ CaseTO-261-4, TO-261AA

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 NDT451AN

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