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FQA70N15

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单 FET、MOSFET
onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5400 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)330W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PN
Package/ CaseTO-3P-3, SC-65-3

新闻资讯

onsemi 单 FET、MOSFET 产品 FQA70N15

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