欢迎您来到深圳凌创辉电子有限公司!
0755-83216080

FQPF30N06L

¥0.00
单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1040 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)38W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F-3
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FQPF30N06L

作为Fairchild Semiconductor优质且资深的代理服务商,深圳凌创辉电子有限公司在为您采购FQPF30N06L时,能够保证原装进口的品质保障以外,价格也是业界最优的,找我们买FQPF30N06L绝对的现货正品,需要报价和咨询请您随时联系我们,同时我们为方便您了解FQPF30N06L产品详情,我们提供了pdf在线观看参数资料,助您轻松采购。

FQPF30N06L供应商,FQPF30N06L现货,FQPF30N06L代理商,FQPF30N06Lpdf参数资料,买FQPF30N06L,FQPF30N06L报价,FQPF30N06L库存

3003677450

微信二维码

扫码微信咨询

0755-83216080