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RW1E014SNT2R

¥2.66
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WEMT
Package/ Case6-SMD, Flat Leads

新闻资讯

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