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RQJ0305EQDQS#H1

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单 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)+8V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageUPAK
Package/ CaseTO-243AA

新闻资讯

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