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FCPF600N65S3R0L

¥4.68
单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds465 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)24W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F-3
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

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