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SIHB33N60E-GE3

¥0.00
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V D2PAK

参数名称参数值
Product StatusActive
FET Type-
Technology-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-
Mounting Type-
Supplier Device Package-
Package/ Case-

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 SIHB33N60E-GE3

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