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FDD107AN06LA0

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)25W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252AA
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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