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MTP10N10ELG

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 5 V
Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1040 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.75W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

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