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IRLMS1902TRPBF

¥1.30
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageMicro6™(TSOP-6)
Package/ CaseSOT-23-6

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 IRLMS1902TRPBF

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