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IRF530

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds458 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)60W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 IRF530

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