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SI4410DY

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1585 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SO
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 SI4410DY

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