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IRFAE20

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单 FET、MOSFET

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W
Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-204AA (TO-3)
Package/ CaseTO-204AA, TO-3

新闻资讯

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