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FDAF59N30

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4670 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)161W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PF
Package/ CaseTO-3P-3 Full Pack

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDAF59N30

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