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18N20F

¥2.99
单 FET、MOSFET

N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds836 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

Goford Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 18N20F

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