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IRF6613TRPBF

¥8.42
单 FET、MOSFET

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5950 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDIRECTFET™ MT
Package/ CaseDirectFET™ Isometric MT

新闻资讯

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