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NTLUS4C12NTBG

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单 FET、MOSFET
onsemi

NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1172 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)630mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-UDFN (2x2)
Package/ Case6-UDFN Exposed Pad

新闻资讯

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