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FDMA410NZT

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单 FET、MOSFET

ULTRA THIN N-CHANNEL 1.5 V POWER

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1310 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-UDFN (2.05x2.05)
Package/ Case6-UDFN Exposed Pad

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDMA410NZT

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