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IRF8010PBF

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单 FET、MOSFET

IRF8010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3830 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)260W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package/ CaseTO-220-3

新闻资讯

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