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FDMC8010DC

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单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.28mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7080 pF @ 15 V
FET FeatureStandard
Power Dissipation (Max)3W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-PQFN (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDMC8010DC

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