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FQPF8N80C

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单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2050 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)59W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F-3
Package/ CaseTO-220-3 Full Pack

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FQPF8N80C

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