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FQD16N25CTM

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单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)160W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FQD16N25CTM

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