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FDB13AN06A0

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单 FET、MOSFET

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.9A (Ta), 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)115W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK (TO-263)
Package/ CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDB13AN06A0

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