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FDMS86202

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单 FET、MOSFET
onsemi

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4250 pF @ 60 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.7W (Ta), 156W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-PQFN (5x6)
Package/ Case8-PowerTDFN

新闻资讯

onsemi 单 FET、MOSFET 产品 FDMS86202

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