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FDD6530A

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.3W (Ta), 33W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

Fairchild Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 FDD6530A

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