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IRF6607TR1

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6930 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDIRECTFET™ MT
Package/ CaseDirectFET™ Isometric MT

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 IRF6607TR1

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