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FDMC8296

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1385 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.3W (Ta), 27W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-MLP (3.3x3.3)
Package/ Case8-PowerWDFN

新闻资讯

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