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IRF7601PBF

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

参数名称参数值
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.8W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageMicro8™
Package/ Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

新闻资讯

Infineon Technologies 单 FET、MOSFET 产品 IRF7601PBF

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