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NTD4809NAT4G

¥1.51
单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.6A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1456 pF @ 12 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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