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SI2302ADS-T1-E3

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单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新闻资讯

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