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FQD16N15TM

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单 FET、MOSFET
onsemi

MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252AA
Package/ CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新闻资讯

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