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SIHU3N50D-E3

¥2.74
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)69W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251AA
Package/ CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新闻资讯

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